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Da Leistungs MOS-FET’s für Anwendungen im Bereich oberhalb 600V zu hochohmig sind, müßten mehrere dieser Transistoren parallel geschaltet werden. Dies würde das Schaltungskonzept verteuern. Man suchte daher nach Lösungen zur Verbesserung dieses Nachteils, jedoch unter Beibehaltung der Vorteile des MOS-Bauelements. Das brauchbarste Resultat ist der “IGBT”. Mit seinen heutigen Eigenschaften entpuppte er sich zu einem fast idealen Schalter für hohe Spannungen und
Ströme. Die anfänglichen Probleme zur Neigung zum thyristorartigen ‘Latch-Up’ bei hohen Strömen und höheren Temperaturen sowie den kurzzeitigen großen Verlustleistungen während des Abschaltens wurden
weitgehendst beseitigt. Im allgemeinen kann man sich den heutigen IGBT als einen großen bipolaren Transistor vorstellen, der durch eine MOS-ähnliche Struktur angesteuert wird. Daher auch die
Anschlussbezeichnungen G (Gate) C (Collektor) und E (Emitter). IGBT’s gibt es heutzutage in Form von Modulen mit einer bis zu einigen 100 kW großen Schaltleistung, sowie als Kleinbauteile (TO und
ISOTOP-Gehäuse) für ‘kleine’ Umrichter und Schaltnetzteile.
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